FUTURE TRAVEL
连接器内部引脚、接触区、焊盘结构突变，会造成阻抗偏离标准值（差分通常 100Ω），引发信号反射、波形畸变、眼图恶化。
行业通用要求：阻抗偏差控制在 ±5% 以内。
高密度引脚之间电容、电感耦合，导致相邻信号互相干扰。在 10Gbps 以上速率下，串扰会直接拉高系统误码率，影响通信稳定性。
趋肤效应、介质损耗、接触电阻共同造成信号能量衰减。在 56G PAM4 等高速场景下，轻微损耗超标就可能导致接收端无法识别。
差分对正负信号长度不等、介质不均，会产生时延差。一旦偏移超标，差分抗干扰能力大幅下降，共模噪声显著增加。
CN119764949A 高速背板连接器专利CN116093680B 高速 PCIe 连接器专利
依托专利结构设计，西点精工实现了三大关键控制
渐变式接触端子：消除传统结构带来的阻抗突变，形成平滑过渡路径
短过孔无残桩设计：Stub 长度控制在 0.3mm 以内，大幅降低回波损耗
严格等长差分布线：差分对长度差控制在极小范围，时延差＜5ps
通过 3D 电磁场仿真迭代优化，产品差分阻抗稳定在 100Ω±3Ω，回波损耗≤-23dB@28GHz，从源头减少信号反射。
串扰抑制：三重专利屏蔽支撑，让隔离更彻底
我们的：CN119764949A 全包围屏蔽结构专利CN119401176A 高速 Wafer 独立屏蔽专利CN120127459A 半封闭 C 型屏蔽端子专利
360° 闭合屏蔽腔：对差分信号形成完整电磁隔离
独立屏蔽通道：每个信号通道单独分隔，杜绝交叉耦合。
SGS 信号 - 地 - 信号排布：强化回流路径，进一步降低共模干扰。
为降低高频损耗，西点精工采用多项专利优化方案：
超短地回路设计：显著降低回路电感，减少高频能量损失
低损耗高频材料：选用低 Dk、低 Df 高性能介质，降低介质吸收损耗
多点稳定接触：专利接触结构确保接触电阻＜15mΩ，欧姆损耗更低
超平滑导体表面：减少趋肤效应带来的高频损耗
终实现[敏感词]损耗≤0.6dB/inch@28GHz，可稳定支持 PCIe 5.0/6.0、USB4、112Gbps Serdes 等高速协议。
我们依托多项接触结构专利，实现了：
①高弹性冠簧 / 多线簧接触：正压力精准控制，插拔寿命更长
②车规级厚金镀层：耐腐蚀、抗氧化，适应 - 55℃~+150℃宽温环境
③抗振动抗冲击设计：严苛振动测试下无瞬断，接触电阻变化＜5%
微米级精密模具，保证结构尺寸一致性
标准化 SI 测试体系：TDR 阻抗测试、VNA 网络分析、眼图与误码率测试
高低温循环、环境可靠性验证，确保每款产品性能达标
支持速率：PCIe 5.0/6.0、USB4、112Gbps Serdes
西点精工以自主专利技术为核心壁垒，在阻抗控制、串扰抑制、低损耗传输、高可靠接触等关键环节持续突破，为 AI 服务器、数据中心、新能源汽车、工业互联等场景提供高稳定性高速连接方案。
西点精工：以精密连接，赋能高速传输。
来源：深圳市西点精工技术有限公司
编辑：李鸿雁
审核：王萍
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